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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
51
65
En -27% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
51
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
2687
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
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