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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
51
65
Intorno -27% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
51
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
2687
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
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