RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
65
74
En 12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
74
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
1925
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Mushkin 991988 (996988) 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link