RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
65
74
Около 12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.0
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
74
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
14.9
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
1925
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link