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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
65
81
En 20% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
8.5
3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
5.6
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
81
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
8.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
5.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
1651
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
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Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
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