RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
65
81
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.5
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.6
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
81
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
1651
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link