RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
65
En -76% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
37
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
2422
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link