RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
65
92
En 29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
92
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
1640
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link