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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
49
53
En 8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,120.4
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
53
Velocidad de lectura, GB/s
4,879.6
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,120.4
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
840
2755
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
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