RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
24
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
23
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2809
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link