RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
24
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.3
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
23
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
12.8
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2809
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link