RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2809
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link