RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
61
En 61% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
16
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
61
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2025
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link