RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
61
Por volta de 61% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
8.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
16
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
61
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
8.5
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2025
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link