RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
61
Около 61% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.4
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
61
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2025
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link