RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
31
En 23% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
31
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
3261
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link