RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
31
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3261
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link