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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
66
En 64% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
15.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
7.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
66
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
1877
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
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