RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
66
Около 64% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
66
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1877
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link