RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
66
Wokół strony 64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
66
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1877
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link