RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
29
En 17% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
16
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
29
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
3323
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link