RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
65
En -124% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
1,574.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
29
Velocidad de lectura, GB/s
3,858.9
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,574.4
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
607
2635
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Team Group Inc. 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link