RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
29
Autour de 17% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
16
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
29
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3323
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB Comparaison des RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link