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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Razones a tener en cuenta
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
20
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.0
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
24
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
17.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
3911
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
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Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
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