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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Differenze
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Motivi da considerare
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
20
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.0
12.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
24
Velocità di lettura, GB/s
16.0
20.0
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
17.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3911
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
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G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
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G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
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G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
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