RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
31
En 23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
5.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
31
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
10.4
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
5.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
1740
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link