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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

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Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 31
    周辺 23% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16 left arrow 10.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.5 left arrow 5.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 17000
    周辺 1.13% 高帯域
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB 考慮すべき理由
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    24 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    16.0 left arrow 10.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.5 left arrow 5.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
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