RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
5.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
10.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
5.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1740
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB Сравнения RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link