RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
36
En 33% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
36
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
3351
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link