RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3351
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB Сравнения RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GSL 4GB
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link