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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Compara
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
49
En 47% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.9
10.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
7.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
49
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
10.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.6
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1610
2504
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
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