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Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Puntuación global
Kingston KVR533D2N4 512MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
75
En -188% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.5
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.2
1,672.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
4200
En 4.05 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
26
Velocidad de lectura, GB/s
1,943.5
19.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,672.1
17.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
17000
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
301
3840
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
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