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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
56
En 34% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
56
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2597
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
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Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
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