RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Compara
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
23
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
15.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
10.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
22
23
Velocidad de lectura, GB/s
15.1
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
10.0
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2936
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMZ16GX3M4X1866C9 4GB
Panram International Corporation PUD31600C118G2VS 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
‹
›
Informar de un error
×
Bug description
Source link