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PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
27
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
21
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
3427
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
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