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PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
27
Intorno -29% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.1
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
21
Velocità di lettura, GB/s
13.8
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
3427
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
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