RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Compara
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
61
62
En 2% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.0
1,670.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
61
62
Velocidad de lectura, GB/s
3,529.3
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,670.4
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
517
1808
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor KLDD48F-A8KB5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G800816 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link