RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
61
62
Wokół strony 2% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
1,670.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
62
Prędkość odczytu, GB/s
3,529.3
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,670.4
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
517
1808
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDD48F-A8KB5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G800816 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link