RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Compara
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Puntuación global
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,160.7
10.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
43
En -10% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
39
Velocidad de lectura, GB/s
5,987.5
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,160.7
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
957
2815
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston ACR256X64D2S800C6 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
SK Hynix HYMP351F72AMP4N3Y5 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link