RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
71
En 66% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
6.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
71
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
6.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
1650
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Kingston 99P5471-043.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
KingSpec KingSpec 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link