RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 71
    Около 66% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16 left arrow 15.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 6.4
    Среднее значение в тестах
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Причины выбрать
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 19200
    Около 1.11 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 71
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 15.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 6.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 1650

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Сравнения RAM

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

SK Hynix HYMP351F72AMP4N3Y5 4GB
SK Hynix HYMP351F72AMP4N3Y5 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
модули RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
модули RAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
модули RAM
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
модули RAM
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
SK Hynix HMP351S6AFR8C-S6 4GB
SK Hynix HMP351S6AFR8C-S6 4GB
модули RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
модули RAM
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
модули RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
модули RAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
модули RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
модули RAM
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
модули RAM