RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
71
Por volta de 66% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
6.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
71
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
6.4
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
1650
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link