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Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Compara
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB vs Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Puntuación global
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Puntuación global
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
6
16.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
44
En -38% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
1,892.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
32
Velocidad de lectura, GB/s
6,181.5
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,892.9
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
851
3084
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
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