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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Compara
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Puntuación global
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
52
En 48% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.5
13
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
52
Velocidad de lectura, GB/s
13.0
20.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1976
2472
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
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Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
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