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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Compara
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
57
En -171% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
57
21
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1244
3356
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KF560C40-16 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
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Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
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