RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Confronto
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
57
Intorno -171% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.6
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.0
5.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
57
21
Velocità di lettura, GB/s
6.8
18.6
Velocità di scrittura, GB/s
5.5
14.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1244
3356
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB Confronto tra le RAM
Kingston KF560C40-16 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Jinyu 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link