RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Compara
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Puntuación global
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Puntuación global
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
85
En 68% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
11.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
6.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
85
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
11.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
6.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2418
1118
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Informar de un error
×
Bug description
Source link