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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Compara
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Puntuación global
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
29
En 38% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
17.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
13.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
18
29
Velocidad de lectura, GB/s
17.7
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
13.1
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2926
3637
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Qimonda 64T128021EDL3SB2 1GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
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