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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Compara
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Puntuación global
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
26
En 31% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.9
17.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
13.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
18
26
Velocidad de lectura, GB/s
17.7
18.9
Velocidad de escritura, GB/s
13.1
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2926
3857
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
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