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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Compara
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
18
En -6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.6
17.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.7
13.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
18
17
Velocidad de lectura, GB/s
17.7
21.6
Velocidad de escritura, GB/s
13.1
17.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2926
3702
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
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G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
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